1. XBC电池技术
① BC不是一种全新的电池技术
Back Contact，金属电极均以叉指状排列在电池背面，为正面创造更多的吸光面积，提高电池片的整体光电转换效率。
② BC不是一种孤立的电池技术TBC=TOPCon（隧穿氧化硅/掺杂多晶硅） BC（全背面接触）；HBC=HJT（非/微晶硅） BC（全背面接触），TBC/HBC的竞争实质上是TOPCon和HJT的进一步差异化竞争。③ BC技术壁垒高，并非拥有TOPCon/HJT储备即可随时转产BC电池a. BC电池的生产工序较长，尤以背电极制作较为繁琐，需要经历2~3道激光开槽工艺，对设备稳定性/工艺成熟水平要求较高，而激光开槽过程中造成的漏电问题是制约电池片生产良率的重要瓶颈；b. 由于背电极相互交叉，在焊带设计/焊接工艺和封装工艺也需要做相应调整。焊带方面，扁平化、变薄变宽趋势；胶膜方面，主流方案EPE POE，胶膜厚度可随焊带超薄而下降；串焊机方面，焊接精度要求大幅提高，需要BC专用串焊机。④ BC技术高度适配电镀铜。当前金属化方案中，电镀铜、银浆各具优势，长期看，对于工艺复杂，人力、设备、材料成本高昂的BC电池而言，电镀铜在成本、工艺匹配上表现出巨大潜力。
2. XBC电池结构
① BC电池基础结构
a. 从上至下：SiNx/SiO2-n Si（掺磷）-Si基底-p （硼扩）/n （磷扩）Si -SiO2/SiNx - 金属电极（叉指）
b. n Si（掺磷）：利用场钝化效应降低表面少子浓度，从而降低表面复合速率，同时还可以降低串联电阻，提升电子传输能力。
c. p Si（硼扩）：发射极能够与N型硅基底形成p-n结，有效分流载流子。
d. n Si（磷扩）：与n型硅形成高低结，增强载流子的分离能力，是IBC电池的核心技术。
e. SiO2/SiNx：背面，抑制IBC太阳电池的载流子复合；正面，减反层提高发电效率。
② HBC电池结构（HJT/BC）
从上至下：减反层-本征非晶硅-Si基底-本征非晶硅-n/p型非晶硅-TCO-金属电极
③ TBC结构（TOPCon/BC）
从上至下：减反层-钝化层-AlOx-n Si（掺磷）-Si基底-隧穿氧化层-p /n 掺杂多晶硅-钝化层-减反层-金属电极
3. XBC电池工艺流程
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